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151.
小功率单相并网逆变器并网电流的比例谐振控制   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对小功率单相并网逆变器传统网压前馈的PI(比例积分)控制器在跟踪正弦电流指令时存在稳态误差和抗干扰能力差等方面缺陷,文中给出了一种PR(Proportional-resonant比例谐振)控制器,并在稳定性、稳态误差和抗干扰性能上比较了PI和PR两种控制器.最后,搭建了仿真和实验平台,对理论分析结果进行验证.结果表明PR控制器在单相并网电流控制更具有优越性.  相似文献   
152.
Kuiper带天体轨道的观测特性   总被引:4,自引:0,他引:4  
对当前已观测到的具有可靠轨道根数、位于30~50AU的Kuiper主带和50AU以外Kuiper散射带的轨道半长径、轨道偏心率和倾角的分布特性分别进行了统计作图分析.结果显示:轨道半长径在40~50AU之间的KBOs的数量呈近似正态分布,KBOs在共振区出现聚集,并且共振区天体普遍具有较大的轨道偏心率;经典KBOs的轨道倾角的分布范围比共振KBOs的还大;散射KBOs的近日点距离大多在30~45AU之间.  相似文献   
153.
为了解决波导吸振器中粘弹性能量耗散器与振源之间的能量传输及阻抗匹配问题,提出了能量导出杆这一设想,并建立了等截面及变截面能量导出杆的动力学模型.通过对其进行动力学分析,导出了能量导出杆传输能量能力与所选材料、结构、波的频率、负载情况等之间的关系方程,定量地讨论了在振源与粘弹性能量耗散器之间加入能量导出杆后,其界面处的能量反射情况.仿真结果表明,选用剪切模量与密度乘积越小的弹性材料制作能量导出杆,能量传输效果越好;对高频振噪的传输效果优于低频振噪;另外,通过调节能量导出杆的长度,使减振系统进入共振状态,可对特定频率的振噪达到理想的减振效果.  相似文献   
154.
外加偏压情况下三元准周期超晶格的高能态电子隧穿性质   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文应用Airy函数和散射矩阵方法研究了外加偏压对三元准周期超晶格高能态电子隧穿性质的影响. 结果表明, 不同外加偏压下,高能态电子透射率谱在一定范围内有显著的变化. 随着偏压的增大,透射峰位置向低能量区域移动.  相似文献   
155.
微波硫灯机制和试验的探讨   总被引:4,自引:3,他引:1  
微波硫灯是90年代出现的一种全新的光源,现代微波技术和等离子体出现的巧妙结合,使这种新光源既具有类似太阳光的连续光谱,又不失高效的优点,从理论上探讨微波硫灯的分子辐射光谱,2450MHz放电电弧的建立及谐振腔的设计,给出了硫分子产生连续可见光谱的机理,电弧的建立的击穿判据和微波谐振腔参数的设计要点,最后是微波硫灯的部分试验数据。  相似文献   
156.
为研究偏心圆环及同心圆-椭圆环微带天线的谐振特性,运用了一种以对同心圆环微扰为基础的计算方法,计算的谐振波数值与参考文献作了比较,在小偏心率的情况下,一致性很好。  相似文献   
157.
提出了一种利用各向异性材料(CFRP)作为振动体的新型超声直线电机,分析了它的工作原理,建立了振动体的动力这方程,求出两人固有频率,分别应对所电机的两个运动方向实验研究了电机的驱动力和速度,结果表明电机的最大驱动力为0.5N速度为0~8mm/s与驱动电压有良好的线形关系,可以通过切换固有频率实现电机的双向运动。  相似文献   
158.
热激励谐振式硅微结构压力传感器   总被引:2,自引:0,他引:2  
针对一种以矩形硅膜片为一次敏感元件、硅梁谐振子为二次敏感元件采用电阻热激励、压敏电阻拾振的谐振式压力微传感器 ,简述了其工作机理 ;从谐振式硅微传感器整体优化设计、闭环系统优化设计、微弱信号检测、敏感元件工艺实践、开环特性测试等方面介绍了该传感器研究与研制过程中近期取得的阶段性研究结果  相似文献   
159.
关于混凝土桩有无断裂及断裂位置的检测对保证建筑工程质量具有重要意义。本义依据声传输线理论对只有一处断裂的混凝土桩共振频率的规律进行了分析。分析表明,可以通过对其共振频谱的测量而判定桩的断裂情况。  相似文献   
160.
We studied the resonant tunneling properties of one-dimensional photonic crystals consisting of single-negative permittivity and single-negative permeability media using transfer matrix methods. The results show that there exists a pair of resonant tunneling modes in this structure. The separation of the pair of tunneling modes can be tuned by varying the ratio of thicknesses of the two single-negative layers or the thickness of the defect layer. The electric field intensity of the resonant tunneling modes increases rapidly with the increase of the ratio of thicknesses of the two single-negative layers. The peak value of the field intensity of the resonant tunneling modes is enhanced by one order of magnitude when the ratio of thicknesses of the two single-negative layers increases by 0.4. This property will be applied widely in the field of nonlinearity optics. With the increase of the ratio of thicknesses of the two single-negative layers, the electric field of the tunneling modes becomes more localized, and the full width at half maximum of the tunneling modes becomes narrower. Besides, the pair of tunneling modes is insensitive to incident angle and thickness fluctuation. These properties will be used for the design of tunable omnidirectional double-channel filter with high quality factor.  相似文献   
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